“第八屆(2013年度)中(zhōng)國半導體(tǐ)創新産品和技術”評選結果正式“出爐”，我(wǒ)司的“1200V逆導型場終止絕緣栅雙極晶體(tǐ)管”技術榜上有名。

  2014年1月21日，中(zhōng)國半導體(tǐ)行業協會、中(zhōng)國電(diàn)子材料行業協會、中(zhōng)國電(diàn)子專用設備工(gōng)業協會、中(zhōng)國電(diàn)子報共同評選出“第八屆（2013年度）中(zhōng)國半導體(tǐ)創新産品和技術”42個項目。

參加評選的創新産品和技術由會員(yuán)單位自薦、協會分(fēn)會和地方協會推薦，範圍包括集成電(diàn)路産品和技術、半導體(tǐ)器件、集成電(diàn)路制造技術、集成電(diàn)路封裝與測試技術、半導體(tǐ)設備和儀器及半導體(tǐ)專用材料。

東光微電(diàn)自成立以來，始終緻力于各類新型功率器件的開(kāi)發。去(qù)年，我(wǒ)司依托進口的制造設備平台，自主成功研制了“1200V逆導型場終止絕緣栅雙極晶體(tǐ)管（1200V RC-FSIGBT）”，這項技術爲國内首創、國際領先，與之相應的産品性能可達到Infineon、IR等國際龍頭企業同等水平。