集芯片設計、研發、封裝檢測和銷售爲一(yī)體(tǐ)的中(zhōng)國功率類半導體(tǐ)分(fēn)立器件及集成電(diàn)路企業
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近日,公司收到中(zhōng)華人民共和國國家知(zhī)識産權局頒發的 1 份《發明專利證書(shū)》,專利号ZL201010502011.1,專利名稱《集成ESD保護的功率MOSFET或IGBT及制備方法》,專利申請日期2010年9月24日,期限20年,專利号第1099352号。